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項目

內容

分辨率

1.2 nm @ 30 kV
3.0 nm @ 1 kV
2.0 nm @ 1 kV 減速模式*1
3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2

放大倍率

10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素)
30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素)

電子光學系統

電子槍

ZrO /W 肖特基式電子槍

加速電壓

0.5 - 30 kV (0.1 kV 步進)

著陸電壓

減速模式: 0.1 - 2.0 kV ＊1

最大束流

> 200 nA

探測器

低位二次電子探測器

低真空模式*2

真空范圍: 10 - 300 Pa

馬達臺

馬達臺控制

5 - 軸自動 (優中心)

可動范圍

X：0～100mm
Y：0～50mm
Z：3～65mm
T：-20～90°
R：360°

最大樣品尺寸

最大直徑: 200 mm
最大高度: 80 mm

選配探測器

· 高分辨率頂位二次電子探測器＊1

· 高靈敏度低真空探測器 (UVD)

· 5分割半導體探測器 (PD-BSD)*3

· 能譜儀 (EDS)

· 波譜儀 (WDS)

· 背散射電子衍射探測器 (EBSD)